Bande passante vs. IOPS vs. efficacité : Samsung développe trois nouveaux types de stockage NAND pour les applications d’IA

Le dirigeant de Samsung Jin-Yub Lee au FMS 2026

Samsung Electronics travaille actuellement sur une nouvelle génération de mémoire flash. Plutôt que de proposer une solution de stockage SSD universelle, l’entreprise développerait trois types de NAND adaptés à des cas d’usage spécifiques de l’IA, certains étant optimisés pour les applications sur appareil et d’autres pour les centres de données.

Christian Hintze (traduit par DeepL / Ninh Duy), Publié 10/12/2026 🇺🇸 🇩🇪 ...

S’appuyant sur des sources du secteur, la publication technologique sud-coréenne Zdnet rapporte que Samsung Electronics développe trois nouveaux systèmes de stockage NAND adaptés à des applications spécifiques. Jusqu’à présent, Samsung n’a officiellement annoncé que la première variante, zNAND-O, mais selon Zdnet, l’entreprise travaille sur deux autres types. Voici les trois variantes :

zNAND-O – Efficacité pour l’IA embarquée

Ce type de mémoire est spécialement conçu pour les applications d’IA locales. Pour raccourcir les chemins de données et améliorer la vitesse et l’efficacité énergétique, les puces NAND sont empilées en quatre ou huit couches et reliées par des connexions TSV (vias traversant le silicium). Dans ce cas, les performances sont un peu moins importantes que l’efficacité, car les applications d’IA sont destinées à fonctionner localement en consommant le moins d’énergie possible.

zNAND-T – Bande passante maximale des données

Cette variante s’adresse davantage aux centres de données d’IA hautes performances, de sorte que la mémoire flash est conçue pour traiter des quantités particulièrement importantes de données par unité de temps. Un terme clé ici est High Bandwidth Flash (HBF). En fin de compte, l’objectif est de transférer de grands volumes de données aussi rapidement que possible.

zNAND-I – Taux d’opérations d’entrée/sortie exceptionnellement élevés

Cette variante met l’accent sur des valeurs d’IOPS particulièrement élevées, c’est-à-dire le nombre d’opérations d’entrée/sortie par seconde. Cela est particulièrement important pour l’inférence en IA, où un grand nombre d’accès à de petites quantités de données doivent être traités rapidement.

Seul zNAND-O a été dévoilé publiquement jusqu’à présent. Les deux autres systèmes n’ont pas été officiellement confirmés et en sont encore aux premiers stades de développement.

Avec cette initiative, Samsung suit la stratégie de son concurrent SK Hynix, qui développe également trois types spécialisés de NAND. À long terme, cette approche pourrait intensifier la concurrence sur le marché du stockage pour l’IA et élargir le rôle de la mémoire flash NAND au-delà des applications SSD traditionnelles.