La course de 3 nm est lancée : Samsung aurait investi 10 milliards de dollars dans l'usine de semi-conducteurs TX d'Austin

Selon un rapport d'ITHome, Samsung prévoit apparemment d'investir plus de 10 milliards de dollars dans une nouvelle usine de fabrication de puces semi-conductrices au Texas. Le rapport affirme que Samsung espère gagner de nouveaux clients américains grâce à cette nouvelle installation "Made in America".

Le calendrier de production reste flou. Cependant, des sources d'ITHome laissent entendre que les opérations ne commenceraient qu'en 2023 au plus tôt. Cela pourrait signifier qu'il faudra attendre 2024 ou 2025 pour voir les puces EUV 3 nm de Samsung dans les appareils d'expédition.

La décision de Samsung serait due à des inquiétudes concernant les progrès réalisés par son concurrent TSMC sur le 3nm. Contrairement à Samsung, qui prévoit d'exploiter la technologie GaaFET (Gate-all-around FET), le TSMC s'en tient à la technologie FinFET qui a fait ses preuves : il sera intéressant de voir comment le FinFET fonctionne à 3 nm et dans quelle mesure les modifications du TSMC atténueront le tunnelage quantique et d'autres effets.

Les puces de Samsung pourraient arriver sur le marché un peu plus tard, mais le GaaFET a le potentiel d'offrir des performances thermiques et énergétiques supérieures.

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