La dernière fuite concernant le Snapdragon 8 Gen 4 fait état d'une vitesse d'horloge et d'une performance du processeur incroyables, tandis que l'auteur de la fuite dissipe les craintes concernant d'éventuels problèmes thermiques similaires à ceux du Snap

Qualcomm devrait lancer le Snapdragon 8 Gen 4 vers le mois d'octobre comme son chipset phare de la prochaine génération. Les performances du chipset du chipset ont été révélés au cours des derniers mois, et le dernier en date fait état d'un nombre impressionnant de points de référence pour le SoC.

Comme l'a révélé le leaker Digital Chat Station, la dernière itération du prototype Snapdragon 8 Gen 4 de Qualcomm dispose d'un cœur principal cadencé à 4,2 GHz. L'auteur de la fuite confirme que le cœur en question est un cœur personnalisé, vraisemblablement un cœur Oryx développé par Nuvia Noyau Oryon développé par Nuviail a obtenu un résultat d'environ 3 000 pour un seul cœur, probablement sur Geekbench 6. Le chipset obtiendrait un score d'environ 10 000 en multi-cœur.

Comparativement, le Snapdragon 8 Gen 3 de la génération actuelle Snapdragon 8 Gen 3 a son cœur principal Cortex-X4 cadencé à 3,3 GHz, et obtient des scores moyens d'environ 2200 et 7000 sur les tests monocœur et multicœur de Geekbench respectivement. Ces chiffres représentent une augmentation potentielle de 30 % des performances du processeur pour le prototype Snapdragon 8 Gen 4.

Compte tenu des fréquences annoncées, les internautes se sont inquiétés de la consommation d'énergie et de l'échauffement potentiels du chipset, en établissant des comparaisons avec les processeurs Snapdragon 888 et Snapdragon 888 Snapdragon 888-le chipset phare de Qualcomm fabriqué par Samsung à la fin de l'année 2020, qui est arrivé avec des problèmes thermiques et d'efficacité notables problèmes thermiques et d'efficacité notables. Selon Digital Chat Station, il est peu probable que le Snapdragon 8 Gen 4 soit un "nouveau Snapdragon 888", grâce au nœud de 3 nm de TSMC qui le sous-tend.

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