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Puces 3D : Des chercheurs du MIT dévoilent une nouvelle technologie qui pourrait permettre aux smartphones de faire un grand bond en avant en termes de performances

Un nouveau procédé de fabrication de puces en 3D intègre des transistors GaN dans des tranches de silicium (Source de l'image : chercheurs du MIT)
Un nouveau procédé de fabrication de puces en 3D intègre des transistors GaN dans des tranches de silicium (Source de l'image : chercheurs du MIT)
Des chercheurs du MIT ont mis au point un nouveau procédé peu coûteux de fabrication de puces en 3D, qui pourrait ouvrir la voie à une électronique plus rapide, plus puissante et plus durable. Cette méthode, décrite dans un rapport de MIT News du 18 juin, permet d'intégrer des transistors GaN très performants sur des puces en silicium standard, ce qui se traduit par des performances accrues.

Depuis des années, l'industrie électronique cherche à utiliser le nitrure de gallium (GaN) dans des circuits complexes. Le GaN est un semi-conducteur plus rapide et plus économe en énergie que le silicium, mais son coût élevé a limité son utilisation. Les méthodes conventionnelles qui lient des plaques entières de GaN au silicium sont coûteuses, ce qui entrave leur adoption à grande échelle.

Le nouveau procédé élimine l'utilisation d'une plaquette de GaN à côté du silicium et opte pour des transistors GaN sur des plaquettes de silicium. Il a ainsi permis de réduire les coûts et d'augmenter la vitesse et l'efficacité. Ce procédé a été inventé par des chercheurs du MIT et des partenaires industriels.

Les chercheurs ont découpé des transistors GaN individuels, appelés dielets, qui mesurent 240 par 410 microns. Chaque transistor est surmonté de minuscules piliers de cuivre qu'ils utilisent pour se lier directement aux piliers de cuivre de la surface d'une puce CMOS en silicium standard. Cette technique de liaison cuivre-cuivre à basse température est moins chère, plus conductrice et plus compatible avec les fonderies de semi-conducteurs standard que les méthodes traditionnelles qui utilisent l'or pour la liaison.

L'équipe a utilisé ce procédé pour fabriquer un amplificateur de puissance qui permet d'obtenir un signal plus puissant que les puces au silicium utilisées actuellement dans les smartphones, tout en consommant moins d'énergie. Cela ouvre des perspectives d'utilisation dans les appareils 5G/6G et IoT. Les puces sont également prometteuses pour l'informatique quantique, car le GaN fonctionne à basse température.

Si cette technologie est commercialisée, les smartphones et autres appareils grand public pourraient bénéficier d'une augmentation significative des performances, fournissant la puissance nécessaire à des modèles d'IA plus avancés modèles d'IA plus avancés sur l'appareil. En attendant, le Samsung Galaxy S25 Ultra(actuellement 1 219 $ sur Amazon) reste l'un des smartphones les plus puissants dotés de capacités d'IA intégrées.

NB: Aucune statistique/comparaison détaillée des performances n'a été rapportée.

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Chibuike Okpara, 2025-06-20 (Update: 2025-06-20)