SK Hynix annonce une DRAM de pointe basée sur HBM3

SK Hynix a lancé son dernier modèle de mémoire à large bande passante typiquement destinée aux cas d'utilisation exigeants et de haute performance tels que l'IA, l'apprentissage automatique, les graphiques haut de gamme et les besoins généraux des centres de données. Malgré son nom, HBM3 est considérée comme la quatrième génération de sa norme, représentant une mise à niveau de la norme HBM2Equi était une amélioration de HBM2 à son tour

Son fabricant sud-coréen affirme que qu'il s'agira de la plus puissante DRAM les plus puissantes du monde lors de sa sortie. Cela est dû à son nouveau taux de traitement des données de 819 gigaoctets par seconde (Go/s), soit jusqu'à 78 % plus rapide que la technologie HBM2Eet pourrait permettre à un utilisateur de transmettre jusqu'à 163 fichiers vidéo de 5 Go chacun en une seconde seulement

SK Hynix a également confirmé qu'il proposera sa DRAM HBM3 avec une capacité de 24 Go, en plus des 16 Go maximum de la DRAM HBM2E. Cette nouvelle taille haut de gamme a été atteinte grâce aux dernières percées dans la production de puces, par lesquelles la hauteur des puces a été affinée jusqu'à seulement 30 micromètres (μm), ce qui permet à la société d'empiler 12 puces (par opposition à 8 pour le HBM2E) verticalement pour obtenir une seule pile de 24 Go

HBM3 par SK Hynix attend toujours des données sur la disponibilité et les prix. Néanmoins, son fabricant prévoit que qu'elle sera très demandée par les acheteurs impliqués dans les supercalculateurs de toutes sortes lorsqu'elle sera prête à être expédiée. Seon-yong Cha, vice-président exécutif du développement des DRAM au sein de cette société, a indiqué que cette HBM de nouvelle génération "consolidera notre leadership sur le marché de la mémoire haut de gamme"

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