Samsung lance la production en masse de DRAM DDR5 EUV en 14 nm

Samsung a annoncé qu'elle avait commencé la production en série de la technologie de pointe de 14 nm, basée sur la technologie EUV, pour la technologie DDR5 DRAM À LA POINTE DE LA TECHNOLOGIE ET BASÉE SUR L'EUV. Samsung a également annoncé que l'entreprise a réussi à augmenter la capacité de l EUV à cinq couches. Cela a permis au géant coréen d'obtenir la plus haute densité de bits DRAM du marché, tout en améliorant la productivité des plaquettes de 20 %. En outre, grâce à l'utilisation du processus de fabrication de 14 nm, les nouvelles puces DRAM DDR5 de Samsung sont jusqu'à 20 % plus économes en énergie par rapport au nœud DRAM de génération précédente de la société.

Selon Jooyoung Lee, vice-président senior de Samsung Electronics et responsable des produits et de la technologie DRAM, le procédé EUV multicouche de Samsung rend possible la fabrication de DRAM DDR5 en 14 nm, un produit qui n'était pas envisageable avec le procédé traditionnel au fluorure d'argon (ArF)

La nouvelle DRAM DDR5 de Samsung fonctionnera à des vitesses proches de 7,2 gigabits par seconde (Gbps), soit près du double de la vitesse de la DDR4 DDR4 soit près du double des vitesses de la DDR4. Les applications de serveur et les charges de travail d'IA bénéficieront ainsi d'une augmentation significative de la vitesse. Samsung cherche également à faire passer la densité binaire de ses offres DDR5 en 14 nm à 24 Gb dans les années à venir, ce qui permettra à l'entreprise de s'imposer comme le fabricant de semi-conducteurs incontournable dans le domaine de l'IA et de la 5G.

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