Huawei travaillerait sur deux puces 3 nm différentes

Si les rumeurs en provenance de Chine sont exactes, SMIC a fabriqué avec succès sa toute première puce 5 nm pour Huawei : le Kirin X90. Elle a réalisé cet exploit sans les machines EUV de pointe d'ASML. L'entreprise a dû utiliser leurs équivalents moins performants, basés sur la technologie DUV, en raison de restrictions commerciales. Un nouveau rapport de UDN évoque les projets futurs de Huawei dans le domaine des semi-conducteurs.

Le géant chinois de la technologie a entamé des recherches sur un nœud de 3 nm basé sur le GAA FET, dont la sortie est prévue pour 2026. En l'absence de problèmes de développement, la production de masse devrait idéalement commencer en 2027. D'autres puces 3 nm à base de nanotubes de carbone font également l'objet de recherches, mais nous ne savons pas où elles en sont.

Toutefois, les rendements continueront à poser problème. Pour le nœud de 5 nm mentionné plus haut, on parle d'un taux abyssal de 20 %, et ce chiffre ne fera que baisser pour le nœud de 3 nm en raison de la complexité supplémentaire qu'implique le multi-patterning DUV. Mais cela pourrait changer si la Chine passe d'une manière ou d'une autre à l'EUV, comme TSMC, Samsung et Intel Foundry.

La Chine a déjà commencé à travailler sur des machines EUV locales. L'utilisateur X @zephyr_z9qui connaît bien la scène chinoise des semi-conducteurs, affirme que Huawei teste activement la technologie EUV, qui devrait être prête pour la production de masse d'ici 2026. Cependant, l'ex-ingénieur de l'ASML @lithos_graphein affirme que c'est peu probable car "le fossé d'ASML est énorme et incontesté"

Néanmoins, même si la Chine disposait d'outils EUV prêts à l'emploi, elle ne les divulguerait pas publiquement. Selon certaines informations, 37 milliards de dollars ont été affectés au développement de l'EUV et tout progrès sera gardé secret, comme cela s'est produit avec le produit Kirin 9010 et ses successeurs.