Intel annonce un conditionnement sur substrat de verre pour ses futurs processeurs et vise 1 000 milliards de transistors par puce d'ici à 2030

Alors que les transistors s'approchent du seuil sub-nanométrique, la loi de Moore semble s'être considérablement ralentie. Depuis plusieurs années, les fabricants de puces tentent de trouver de nouveaux matériaux susceptibles de permettre la mise à l'échelle des transistors à l'échelle de l'angström, et parmi les meilleures solutions jusqu'à présent figurent les nanofeuilles de carbone et les graphènes. Toutefois, les substrats d'emballage sont également importants pour améliorer la mise à l'échelle. Nous avons vu de nouveaux emballage 3D ces dernières années, nous avons vu émerger de nouvelles techniques d'emballage 3D, mais Intel introduit aujourd'hui un tout nouveau matériau de substrat, remplaçant ses solutions organiques (plastiques) vieilles de 20 ans par les premiers substrats en verre de l'industrie.

Intel développe les nouveaux substrats en verre depuis près de dix ans et estime que cette technologie devrait durer encore quelques décennies. Parmi les avantages des matériaux en verre figurent une planéité ultra-faible, une meilleure stabilité thermique et mécanique ainsi que des propriétés optiques améliorées, ce qui se traduit par une densité d'interconnexion beaucoup plus élevée dans un substrat. Ainsi, les futurs processeurs pourraient contenir plus de tuiles ou de chiplets dans une empreinte plus petite. Intel estime que la densité pourrait atteindre 1 000 milliards de transistors par boîtier d'ici 2030. Grâce à leur plus grande tolérance aux températures élevées, les substrats en verre permettent de meilleures solutions d'alimentation électrique tout en assurant une signalisation à grande vitesse via des interconnexions optiques nécessaires à une puissance beaucoup plus faible.

Avec la transition vers les substrats en verre, Intel joue une fois de plus un rôle de premier plan, comme il l'a fait dans les années 1990 avec l'introduction des boîtiers sans halogène et sans plomb ou, plus récemment, avec l'empilement de boîtiers en empilage de boîtiers 3D d'empilage de boîtiers en 3D. Les nouveaux substrats en verre se combineront parfaitement avec les percées de PowerVia et RibbonFET introduites récemment afin d'étendre l'échelle au-delà des nœuds de processus 18A. Dans un premier temps, Intel prévoit d'introduire les substrats en verre dans les boîtiers à grand facteur de forme adaptés à l'avancement des applications IA, HPC et graphiques.

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