Intel pourrait bientôt finaliser son accord avec TSMC pour ses pièces 3nm

Multiple sources industrielles ont déclaré à plusieurs reprises qu'Intel demanderait l'aide de TSMC pour fabriquer certaines de ses pièces en 3 nm. Cependant, le mystère plane toujours sur les composants qui utiliseront ce nœud de pointe. Nous savons que le prochain GPU Arc Xe-HPG DG2 sera fabriqué sur le Le processus 6 nm de TSMC. Par conséquent, nous pouvons raisonnablement supposer que son successeur pourrait utiliser le nœud de 3 nm ainsi que les composants de Meteor Lake, Ponte Vecchioet d'autres. Maintenant, un nouveau rapport de Digitimes nous apprend que l'accord entre Intel et TSMC est sur le point d'être finalisé

Il nous apprend également que la production pilote pour le nœud de TSMC a déjà commencé. Nous avons appris précédemment que la production de masse devait démarrer en H2, 2022, au moins pour les pièces Intel. Cependant, Apple a réussi à s'assurer la part du lion de la capacité de TSMC pour son matériel destiné à 2022, nous pouvons donc nous attendre à voir le Apple A16 Bionic être produit en masse d'ici là. Une version améliorée du nœud, baptisée N3E, sera finalisée d'ici 2023, suivie du nœud N2 en 2 nm en 2025

Dans un premier temps, la production N3 de TSMC sera plafonnée à 40 000 plaquettes par mois. Ce chiffre devrait passer à 60 000 au premier semestre 2023. Pour l'instant, Intel et TSMC semblent être les deux seuls prétendants à ce procédé de fabrication très recherché, mais nous pouvons nous attendre à ce que d'autres noms apparaissent bientôt. Intel a également demandé à bénéficier d'une partie de la capacité de production 2nm de TSMC, probablement pour compléter sa capacité de production interne 20A interne 20A interne

Jusqu'à présent, TSMC a maintenu sa domination sur le marché par rapport à son principal concurrent, Samsung Foundries. Toutefois, cela pourrait changer lorsque les processus 3nm des deux sociétés entreront dans la production de masse. Samsung utiliserait le nouveau GAAFET (Gate-All-Around Field Effect Transistor) pour ses pièces en 3 nm, tandis que TSMC s'en tient à la technologie éprouvée FinFET (Fin Field-Effect Transistor). Cela pourrait donner à Samsung l'avantage dont il a tant besoin pour détourner certains clients de TSMC