Le Snapdragon 8 Gen 4 pour Galaxy pourrait être fabriqué sur le nœud 3GAP de Samsung ; la version normale utilisera le nœud TSMC N3E

Le prochain Snapdragon 8 Gen 3 est pratiquement confirmé comme étant fabriqué sur le processeur N4P de TSMC, ce qui le désavantage théoriquement par rapport à l'A17 Bionic basé sur le processeur N3B de TSMC. Cependant, la situation pourrait être plus complexe l'année prochaine si un récent tweet du leaker @tech_reve est exact.

Apparemment, Qualcomm prévoit d'utiliser une double source pour le Snapdragon 8 Gen 4. Une variante du SoC, probablement destinée à un usage général, sera fabriquée sur TSMC N3E. D'autre part, le Snapdragon 8 Gen 4 pour Galaxy, sa version réservée à Samsung, sera fabriqué sur le nœud 3GAP de Samsung Foundries. Il est intéressant de noter que la puce Dream Team, alias Exynos 2500devrait également suivre ses traces.

S'il n'est pas rare que les OEM s'approvisionnent en puces auprès de deux fonderies différentes, un désastre s'en est suivi (vous vous souvenez du Chipgate ?) la fois où Apple a tenté l'expérience avec l'A9 en 2015. Cependant, au lieu que le grand public soit touché, seuls les utilisateurs de Samsung seront affectés cette fois-ci. Néanmoins, il sera intéressant de voir comment les deux variantes du Snapdragon 8 Gen 4 se comportent l'une par rapport à l'autre dans le monde réel.

Les antécédents peu reluisants de Samsung Foundries font qu'il est facile de rejeter ses produits comme étant de qualité inférieure. Toutefois, la conception de ses transistors de type "gate-all-around" pourrait contribuer à combler l'énorme écart de performances/thermiques/efficacité entre les produits TSMC aux spécifications similaires. Ceci, combiné avec les nouveaux cœurs de processeur Nuvia du Snapdragon 8 Gen 4 et la prise en charge du dGPU externe, pourrait lui donner l'avantage concurrentiel dont il a tant besoin pour s'attaquer à Apple.

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