SanDisk fabrique les premières puces de mémoire 3D Matrix — avec pour objectif de réduire de moitié le coût par bit par rapport à la DRAM

SanDisk a fait part d’une mise à jour modeste mais significative concernant sa mémoire 3D Matrix expérimentale, indiquant avoir produit les premières puces issues de cette nouvelle technologie de mémoire sur des plaquettes de silicium standard de 300 mm et les avoir conditionnées en vue de tests supplémentaires. Selon l'entreprise, les prototypes sont déjà capables de stocker plusieurs gigabits de données, et leurs performances se rapprochent des spécifications prévues pour le produit final.

La « 3D Matrix Memory » est en cours de développement depuis 2017 en tant qu’alternative potentielle à la DRAM conventionnelle, mais avec une structure tridimensionnelle fondamentalement différente. SanDisk affirme que cette technologie pourrait à terme offrir des performances similaires tout en proposant une capacité jusqu’à quatre fois supérieure à celle de la DRAM. L’entreprise vise également à réduire de moitié le coût par bit par rapport à la DRAM traditionnelle.

Les derniers prototypes s’appuient sur un prototype de test développé l’année dernière avec Imec, le partenaire de recherche de SanDisk. Depuis, SanDisk a commencé à empiler plusieurs couches de mémoire et à fabriquer des prototypes sur des plaquettes de 300 mm. Les puces assemblées sont désormais utilisées pour des tests supplémentaires. Selon l’entreprise, les expériences ont déjà démontré le bon fonctionnement de matrices de mémoire offrant une capacité de plusieurs gigabits. SanDisk précise également que le niveau de performance est déjà très proche des spécifications qu’elle a fixées pour un éventuel produit final.

Toutefois, SanDisk n’est pas encore prêt à évoquer un lancement commercial. Alper Ilkbahar, directeur technique de SanDisk, a souligné que la « 3D Matrix Memory » restait un projet à long terme et qu’il faudrait sans doute encore un certain temps avant que cette technologie n’atteigne le marché.

« Le projet avance, mais il s’inscrit dans une perspective à plus long terme. Nous continuerons à vous tenir informés de nos progrès », a déclaré Alper Ilkbahar.

La dernière feuille de route de SanDisk fournit peu de détails sur la suite des événements. Une feuille de route antérieure avait présenté des projets concernant des échantillons de 32 à 64 Gbits, bien qu’aucun calendrier n’ait été communiqué quant à leur disponibilité.

La dernière feuille de route fournit peu de détails sur la suite des événements. Une feuille de route antérieure avait évoqué des projets d’échantillons de 32 à 64 Gbits, sans toutefois préciser de calendrier pour leur mise sur le marché.

Pour l’instant, la mémoire 3D Matrix reste davantage un projet de recherche qu’un substitut réaliste à la DRAM dans un avenir proche. Néanmoins, la capacité à fabriquer des prototypes multicouches sur des plaquettes standard de 300 mm, à faire la démonstration de matrices de mémoire de plusieurs gigabits et à atteindre des performances proches des spécifications cibles de l’entreprise marque une avancée significative dans les efforts de longue haleine menés par SanDisk pour développer un nouveau type de mémoire haute densité.

SanDisk travaille également sur une autre technologie de mémoire avancée, la mémoire flash à large bande passante (HBF). Contrairement à la mémoire matricielle 3D, la technologie HBF n’introduit pas une architecture de mémoire entièrement nouvelle. Elle consiste plutôt à empiler des puces NAND conventionnelles afin d’augmenter la bande passante. Ce projet est bien plus proche de la commercialisation. SanDisk indique que la conception de la première version HBF a été finalisée et que des échantillons devraient être disponibles pour validation l’année prochaine.