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Selon les spécifications préliminaires de la DDR7, la vitesse maximale de la mémoire vive de nouvelle génération est cinq fois supérieure à celle de la DDR5 standard

La DDR5 de Samsung est désormais officielle. (Source : Samsung)
La DDR5 de Samsung est désormais officielle. (Source : Samsung)
La technologie de pointe en matière de DRAM est désormais officiellement connue sous le nom de DDR5, avec des taux de transfert de données deux fois plus élevés que ceux de son prédécesseur, la DDR4. Cependant, sa propre génération suivante, la DDR6, devrait être lancée avec le double de ces nouvelles vitesses, soit moins de la moitié de celles de la DDR7. Les deux mises à niveau à venir seraient déjà en cours de réalisation chez Samsung.
Deirdre O'Donnell, 🇺🇸 🇪🇸 ...

Samsung vient à peine d'annoncer https://www.samsung.com/semiconductor/dram/ddr5/ ses modules DDR5 haut de gamme, destinés à répondre aux exigences des applications de type serveur de nouvelle génération. L'équipementier affirme tirer parti de la norme JEDEC de la nouvelle RAM Norme JEDEC de la nouvelle RAM (qui implique de doubler les performances de la DDR4 pour atteindre un taux de transfert de données maximal de 6 400 mégatransferts par seconde (MT/s)) pour obtenir un produit final capable d'atteindre des vitesses de 7 200 mégabits par seconde (Mb/s).

Toutefois, le géant sud-coréen devrait désormais disposer d'une feuille de route de développement qui commence par un remplacement direct de cette nouvelle norme haut de gamme, en passant par des étapes telles que sa technologie basse consommation pour aboutir à une nouvelle "forme finale" connue sous le nom de GDDR7

En conséquence, la première étape de ce voyage est (presque inévitablement) connue sous le nom de DDR6. Il est maintenant prévu qu'elle offre des améliorations de 2x par rapport à de nombreuses spécifications courantes de la DDR5, sa vitesse d'horloge standard supérieure mandatée par le JEDEC, le nombre de banques de mémoire et le nombre de canaux 16 bits inclus. En conséquence, cette prochaine DRAM de Samsung pourrait être capable d'atteindre 12 800 MT/s, avoir 64 banques et être quadri-canal par défaut

En outre, comme la DDR5 overclockée est actuellement prévue pour atteindre un maximum de 8,400MT/sson successeur devrait atteindre pas moins de 17 000 MT/s dans des conditions similaires. Samsung serait également en train de préparer la suite, en prévoyant non seulement des options à faible consommation, mais aussi une génération intermédiaire de GDDR6+

La première de ces options - LPDDR6 - n'améliorera peut-être pas les spécifications actuellement prévues pour la technologie LPDDR5 (6 400 MT/s au maximum) ou même de la LPDDR5X (avec un potentiel de ~8 500MT/s) que d'offrir une efficacité énergétique avancée.

On ne sait pas grand-chose de GDDR6+ on ne sait pas grand-chose de la GDDR6+ pour l'instant, bien qu'on s'attende à ce qu'elle fasse patienter les utilisateurs avec des gains similaires à la norme, de l'ordre de 24 000 MT/s, sur la base d'un processus de nouvelle génération de "1z-nanomètre" (nm ; vraisemblablement une progression de la méthode de production EUV ) jusqu'à l'arrivée de la dernière mise à niveau majeure, la GDDR7.

Cette génération est maintenant prétendument destinée à des vitesses allant jusqu'à 32,000MT/s. Il est également prévu qu'elle intègre ce que l'on appelle une "fonction de protection contre les erreurs en temps réel", tandis que la DDR5 de Samsung se targue de d'une technologie de "correction d'erreur sur puce"

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Deirdre O'Donnell
Editor of the original article: Deirdre O'Donnell - Senior Tech Writer - 5109 articles published on Notebookcheck since 2018
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Ninh Duy
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Deirdre O'Donnell, 2021-11-22 (Update: 2021-11-22)