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Ne considérez pas le projet de SK hynix, d'un montant de 54,3 billions de wons, comme un soulagement pour les prix de la mémoire vive (RAM)

Rendu de SK hynix représentant le pôle des semi-conducteurs de Yongin, illustré ci-contre.
ⓘ SK Hynix
Rendu de SK hynix représentant le pôle des semi-conducteurs de Yongin, illustré ci-contre.
Le 7 août, SK hynix a approuvé un budget de 54,3 billions de wons pour la construction de nouvelles usines de DRAM et de NAND. Les premières salles blanches ouvriront en décembre 2028 et en juin 2029, et l’entreprise précise qu’elle n’installera des équipements que si la demande le justifie — il ne s’agit donc pas d’une solution à court terme pour les prix de la mémoire vive.

Le conseil d'administration de SK hynix a approuvé, le 7 août, un budget d'environ 54,3 000 milliards de wons (~38,6 milliards de dollars) pour deux nouvelles usines : 35,2 billions de wons (environ 25 milliards de dollars) pour Yongin « Y2 » et 19,1 billions de wons (environ 13,6 milliards de dollars) pour Cheongju « M17 ». Y2 est une usine dédiée à la DRAM, M17 à la NAND, et ces deux montants ne concernent que la construction ; l’équipement de Y2 pourrait représenter jusqu’à 120 000 milliards de wons (environ 85,2 milliards de dollars), ce qui pourrait porter le total à plus de 150 000 milliards de wons (environ 106,5 milliards de dollars).

Pour quiconque s’est récemment renseigné sur les prix d’un kit DDR5 de 32 Go — environ 600 dollars ce mois-ci, contre 100 dollars pour le même kit il n’y a pas si longtemps —, la réaction naturelle serait d’y voir la fin de cette flambée en vue. Cependant, les dates révèlent une tout autre réalité. M17 ouvrira sa première salle blanche en décembre 2028 et Y2 en juin 2029, tandis que la construction de Y2 ne débutera même pas avant juillet 2027. L’ouverture d’une salle blanche marque le début de l’installation et de la qualification des équipements ; elle ne correspond pas au début des livraisons. L’étape la plus proche est celle de Y1, dont l’achèvement est prévu vers février 2027, l’installation des équipements devant suivre au deuxième trimestre.

Une phrase précise du communiqué de SK hynix revêt une importance encore plus grande que le chiffre annoncé en titre. Le géant des semi-conducteurs indique qu’il construira ses usines conformément au calendrier général, mais qu’il agrandira les salles blanches et installera les équipements de manière séquentielle, en s’adaptant aux tendances de la demande, afin d’optimiser l’efficacité du capital.

En d’autres termes, l’entreprise construit les bâtiments dès maintenant et reporte les dépenses bien plus importantes liées à l’outillage jusqu’à ce que la demande soit confirmée. L’étape Y1 est divisée en six salles blanches et devrait atteindre une production de 360 000 plaquettes de DRAM par mois d’ici le premier semestre 2030.

La gamme de produits n’est pas non plus favorable aux consommateurs. Le site Y2 produira de la mémoire à large bande passante et d’autres DRAM de nouvelle génération, et c’est précisément l’allocation de HBM qui a, au départ, évincé la DDR5 standard des usines. SK hynix consacre actuellement environ 30 % de sa capacité de production de plaquettes DRAM à la HBM, et les analystes s’attendent à ce que cette part avoisine les 40 % d’ici 2027.

Le cadre de référence défini par SK hynix constitue ici l’information la plus claire. L’entreprise qualifie cela de « transformation structurelle », et non de supercycle temporaire. Elle a cité les projections d’Omdia, qui prévoient une croissance annuelle de 19 % pour les DRAM et les NAND jusqu’en 2030. Cela signifie que le fournisseur considère les prix actuels comme la référence et organise sa production en conséquence.

Source(s)

SK hynix Newsroom, Trendforce (1) (2)

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Anubhav Sharma, 2026-08- 8 (Update: 2026-08- 8)