SK hynix fusionnerait DRAM et NAND dans un ensemble unifié de stockage à large bande passante afin d'améliorer les performances de l'IA sur l'appareil

SK Hynix aurait franchi une étape importante avec une innovation qui pourrait changer la façon dont les appareils mobiles gèrent l'IA. La nouvelle architecture hybride de l'entreprise, High-Bandwidth Storage (HBS), fusionne DRAM et NAND, permettant des vitesses de données plus élevées, une latence plus faible et une meilleure efficacité énergétique.

Selon ETNews, SK Hynix s'attend à ce que sa nouvelle technologie stimule les performances des smartphones en matière d'IA.

Mémoire de nouvelle génération pour les appareils mobiles alimentés par l'IA

L'élément clé de la dernière innovation de SK hynix est la technologie VFO (Vertical Wire Fan-Out). VFO est une méthode qui permet d'empiler verticalement jusqu'à 16 couches de DRAM et de NAND tout en les connectant en ligne droite. Grâce à ce procédé, SK Hynix peut réduire la perte de signal et la distance de transmission, car il n'est pas nécessaire d'utiliser le câblage incurvé courant dans les boîtiers traditionnels.

Le résultat est un boîtier HBS avec un temps de traitement des données plus court et une efficacité accrue. Cela permet d'améliorer la bande passante des appareils mobiles, de la même manière que la mémoire à large bande passante (HBM) a stimulé les performances des GPU et des serveurs d'intelligence artificielle.

Plus petit, plus rapide et plus froid

Selon SK hynix, son nouveau processus VFO réduit les besoins en câblage de 4,6 fois. Il réduit la consommation d'énergie de 5 % et améliore la dissipation de la chaleur de 1,4 %. L'entreprise sud-coréenne a également réduit la hauteur de l'emballage de 27 %, ce qui permet aux appareils mobiles d'être encore plus minces et de fonctionner à des températures plus basses.

SK Hynix réalise également des économies sur les coûts de production car, contrairement à l'HBM, le HBS ne nécessite pas la fabrication de via à travers le silicium (TSV), qui relie verticalement des puces empilées en perçant et en remplissant des trous microscopiques à travers les plaquettes de silicium. En outre, cela permet d'augmenter le rendement, ce qui est essentiel pour augmenter la production.

Apporter les performances de l'IA aux puces mobiles

Associé au processeur d'application (AP), le module HBS de SK Hynix permettra aux smartphones et aux tablettes de mieux gérer les charges de travail liées à l'IA. L'entreprise a déjà utilisé l'emballage DRAM basé sur le VFO dans le produit Apple's Vision Pro.