SK Hynix assemble le premier outil de lithographie EUV High-NA pour la production de masse à l'usine M16

SK Hynix a annoncé que la société a assemblé le premier système de lithographie EUV High-NA de l'industrie pour la production de masse dans son usine M16 à Icheon, en Corée du Sud. Des responsables de la R&D et de la fabrication de SK Hynix, ainsi que le responsable client SK Hynix d'ASML, ont célébré cette étape lors d'un événement sur site. L'objectif de ce système est d'accélérer le développement et la fourniture de DRAM de nouvelle génération, tout en renforçant le leadership national en matière de mémoire artificielle et en améliorant la stabilité de la chaîne d'approvisionnement grâce à une étroite collaboration entre les partenaires. Cette étape marque le bond en avant de SK Hynix par rapport à d'autres concurrents qui s'appuient encore sur l'EUV Low-NA.

Le système TWINSCAN EXE:5200B d'ASML offre une ouverture numérique (NA) supérieure d'environ 40% à celle de son homologue Low-NA, ce qui permet d'obtenir des caractéristiques 1,7 fois plus petites avec une densité de transistors environ 2,9 fois plus élevée en une seule exposition. La machine peut atteindre une résolution substantielle de 8 nm, ce qui représente une amélioration significative par rapport à la résolution actuelle de 13 nm atteinte par les systèmes Low-NA. ASML considère que cette étape importante "ouvre un nouveau chapitre".

Dans un premier temps, SK Hynix prévoit de prototyper rapidement de nouvelles structures DRAM, notamment des tranchées de condensateur, des lignes de bits et des lignes de mots, afin d'accélérer le développement des nœuds. La société prévoit également de simplifier les flux de processus EUV existants afin d'améliorer la compétitivité des coûts au fur et à mesure de la maturation du développement.

Les futures DRAM devraient passer à l'EUV High-NA (vers les années 2030) ; c'est pourquoi cet outil permet de dériver rapidement vers cette voie. SK Hynix a étendu son empreinte EUV aux DRAM depuis 2021, et ce jalon marque la prochaine étape de sa production de DRAM de nouvelle génération.

Le fait d'être l'une des premières entreprises à assembler des systèmes EUV High-NA sur un site de production de masse place SK Hynix devant Micron et Samsung, ce qui lui confère un avantage concurrentiel sur le marché. ASML avait déjà construit des systèmes High-NA de pré-production (sa série NXE:5000) dans l'usine D1X d'Intel, mais l'installation de SK Hynix marque le premier assemblage du nouveau système EXE:5200B dans une usine cliente destinée à la production de masse.