
Samsung présente une feuille de route actualisée pour ses prochains nœuds de production en 3 nm et 2 nm
Samsung sera la première société à mettre en œuvre des transistors Gate-All-Around (connus sous le nom de MBCFET) avec son prochain nœud de 3 nm dont la mise en ligne est prévue pour la première moitié de 2022. Un nœud de 3 nm de ...